12 月 11 日消息，日本半导体公司 Rapidus 最近与欧洲最大芯片研发机构 IMEC 合作备忘录显示，该公司正推进先进半导体技术的研发和生产，Rapidus 计划到 2025 年量产 2nm 半导体，到 2027 年量产改良的 2nm+ 超精细半导体。
据悉，Rapidus 是一家由日本八大巨头联合投资成立的高端芯片公司，包括丰田、索尼、恺侠、NTT、Denso、NFC、三菱和软银，当时还获得了日本政府 700 亿日元（约 35.77 亿元人民币）的补贴。
据鸿腾科技了解知道，Rapidus 来自拉丁语，意思是“快速”，Rapidus 主要以量产全球目前尚未实际运用的 2nm 以下先进半导体作为目标。
此次备忘录由日本经济产业大臣西村康俊、比利时佛兰德斯政府部长兼外交政策、文化、数字化和设施部长扬・扬邦、Rapidus 总裁兼首席执行官 Atsuyoshi Koike、IMEC 总裁兼首席执行官 Luc Van den hove 签署。
Rapidus 计划在 20 年代的后半期在日本大规模生产采用 2 纳米芯片，此类芯片将用于 5G 通信、量子计算、数据中心、自动驾驶汽车和数字智能城市等领域。IMEC 打算支持 Rapidus 进行前沿技术的研发。
为此，双方表达了建立战略合作伙伴关系的意向，Rapidus 将成为 IMEC 先进纳米电子项目的核心合作伙伴，而且备忘录内容还提到与即将成立的前沿半导体技术中心 (LSTC) 合作，该中心将作为日本后 2 纳米技术的研发中心。
据日经新闻报道，Rapidus 总裁 Atsuyoshi Koike 承认日本在尖端技术节点方面落后 10-20 年，要扭转局面并不容易。
日本经济产业省（METI）称，Imec 和 Rapidus 打算就 EUV 光刻等关键技术开展双边项目，Rapidus 可能会派工程师到 Imec 进行培训。反过来，Imec 愿意考虑在日本设立研发团队来制定长期路线图。此外，根据 METI 的说法，Imec 和 Rapidus 将考虑与即将成立的前沿半导体技术中心 (LSTC) 进一步合作。
据悉，LSTC 是在美国和日本于 5 月在日美商业和工业伙伴关系 (JUCIP) 第一次会议上就半导体合作基本原则达成一致后孵化出来的技术中心。LSTC 计划作为研发基地，Rapidus 则将作为量产基地。
据日经新闻报道，Koike 表示 Rapidus 不会寻求在生产规模方面赶上台积电和三星，而是会探索一种专注于快速生产的不同商业模式。
根据 METI 文件，Rapidus 将在 2022 财年获得 2nm 工艺的基本技术，并开始安装 EUV 光刻设备，制定短周转时间 (TAT) 生产系统所需的设备、传输系统和生产管理系统的规格，并部署试验线的初始设计。
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